STMicroelectronics STripFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
165-6596
Herst. Teile-Nr.:
STD25NF20
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

STripFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.2mm

Länge

6.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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