IXYS Linear N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

CHF 459.06

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 840 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +CHF 15.302CHF 459.11

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-4606
Herst. Teile-Nr.:
IXTH12N100L
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1kV

Serie

Linear

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

155nC

Maximale Verlustleistung Pd

400W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

21.46mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.3mm

Länge

16.26mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.