IXYS Q3-Class Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 32 A 500 W, 3-Pin IXFR48N60Q3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
168-4710
Herst. Teile-Nr.:
IXFR48N60Q3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

ISOPLUS247

Serie

Q3-Class

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

154mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

21.34mm

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links