IXYS Q3-Class Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-268

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RS Best.-Nr.:
168-4712
Herst. Teile-Nr.:
IXFT18N100Q3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1000V

Gehäusegröße

TO-268

Serie

Q3-Class

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

660mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

830W

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

16.05mm

Breite

14 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3


Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode

Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)

Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand

Industriestandard-Gehäuse

Niedrige Gehäuseinduktivität

Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

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