Nexperia BUK9Y59 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.7 A 37 W, 5-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 170-4900
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK9Y59-60E,115
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | BUK9Y59 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 133mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 37W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 4.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie BUK9Y59 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 133mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 37W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 4.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- PH
Von der Ansteuerung einer einfachen Lampe bis hin zu den anspruchsvollen Anforderungen an die Leistungsregelung in Motor-, Karosserie- oder Fahrwerksanwendungen – Nexperia Leistungshalbleiter können die Antwort auf viele Probleme mit der Leistung von Automobilsystemen sein.
Für thermisch anspruchsvolle Umgebungen geeignet durch Temperaturbereich bis 175 °C, typische MOSFET-Anwendungen, elektrische Servolenkung, Motormanagement, integrierter Anlassergenerator, Getriebesteuerung, Antiblockiersystem (ABS), Klimaregelung
N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56 (Power SO8) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in der Automobilindustrie für Anwendungen mit hohen Anforderungen entwickelt.
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C
12-V-Kfz-Systeme
Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung
Getriebesteuerung
Schalten von extrem hohen Leistungen
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