Infineon Doppelt IRF7343PbF Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 55 V Entleerung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 171-1915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7343TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 171-1915
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7343TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | IRF7343PbF | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.96V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie IRF7343PbF | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.96V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
Der Infineon IRF7343 ist der zweifache N- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 55 V in einem SO-8-Gehäuse.
RoHS-kompatibel
Niedriger RDS (EIN)
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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