Infineon Doppelt IRF7343PbF Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 55 V Entleerung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
170-2265
Herst. Teile-Nr.:
IRF7343TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

IRF7343PbF

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Durchlassspannung Vf

0.96V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Nicht-konform

Der Infineon IRF7343 ist der zweifache N- und P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit 55 V in einem SO-8-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Dynamische dv/dt-Bewertung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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