Teile-Nr.

Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 171-2402
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K339R
Marke:: Toshiba

Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 171-2402
Herst. Teile-Nr.:: SSM3K339R
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	390mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.1nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	2.9mm
	Breite	1.8 mm
	Höhe	0.7mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 390mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 2.9mm
	Breite 1.8 mm
	Höhe 0.7mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: TH

Stromversorgungsschalter

DC/DC-Wandler

Gate-Ansteuerungsspannung 1,8 V

Niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle

RDS(ON) = 145 mΩ (typ.) (@ VGS = 8,0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (typ.) (@ VGS = 4,5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (typ.) (@ VGS = 3,6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (typ.) (@ VGS = 2,5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (typ.) (@ VGS = 1,8 V, ID = 0,2 A)

Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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