Toshiba SSM6K403TU Typ N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 20 V / 4.2 A 500 mW, 6-Pin UF
- RS Best.-Nr.:
- 171-2490
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6K403TU
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.7.825
Nur noch Restbestände
- Letzte 1'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | CHF 0.313 | CHF 7.88 |
| 100 - 475 | CHF 0.273 | CHF 6.87 |
| 500 - 975 | CHF 0.242 | CHF 6.11 |
| 1000 + | CHF 0.212 | CHF 5.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-2490
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6K403TU
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Feldeffekttransistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | SSM6K403TU | |
| Gehäusegröße | UF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 66mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Feldeffekttransistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie SSM6K403TU | ||
Gehäusegröße UF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 66mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- TH
1,5-V-Ansteuerung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: RON = 66 mΩ (max.) (@ VGS = 1,5 V)
RON = 43 mΩ (max.) (@ VGS = 1,8 V)
RON = 32 mΩ (max.) (@ VGS = 2,5 V)
RON = 28 mΩ (max.) (@ VGS = 4,0 V)
Verwandte Links
- Toshiba SSM6K403TU Typ N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 20 V / 4.2 A 500 mW, 6-Pin UF
- Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche Feldeffekttransistor Erweiterung 100 V / 10 A 2 W, 3-Pin PW Form
- onsemi BS270 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Feldeffekttransistor Erweiterung 60 V / 400 mA 625 mW, 3-Pin TO-92
- Toshiba Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 300 mA 500 mW, 6-Pin US
- Toshiba SSM3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.2 A 800 mW, 3-Pin UFM
- Toshiba SSM3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2 A 800 mW, 3-Pin UFM
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin US6
- Toshiba 2SK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM