Taiwan Semiconductor N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 40 W, 4-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 171-3608
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM090N03CP ROG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 171-3608
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- TSM090N03CP ROG
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | IEC 61249 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard IEC 61249 | ||
Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 30 V, 55 A, 3+Flachsteckerkontakt verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.
RoHS-konform
150 °C maximale Betriebstemperatur
40 W max. Verlustleistung
Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1 V und 2,5 V
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