Taiwan Semiconductor Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 40 W, 4-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
TSM090N03CP ROG
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

IEC 61249

Der Taiwan Semiconductor N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 30 V, 55 A, 3+Flachsteckerkontakt verfügt über eine Einzeltransistorkonfiguration und einen Erweiterungskanalmodus.

RoHS-konform

150 °C maximale Betriebstemperatur

40 W max. Verlustleistung

Gate-Schwellenspannungsbereiche zwischen 1 V und 2,5 V

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