onsemi NVMFS5C673NL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 46 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 171-8397
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C673NLWFAFT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.1.082 | CHF.21.63 |
| 200 - 480 | CHF.0.935 | CHF.18.65 |
| 500 + | CHF.0.809 | CHF.16.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 171-8397
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C673NLWFAFT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NVMFS5C673NL | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NVMFS5C673NL | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige QG und Gate-Kapazität
Minimiert Schaltverluste
Gehäuse in 5 x 6 mm nach Industriestandard
Kompakte Bauweise und Standardabmessungen für direkten Austausch
Best-in-Class FOM (RDS(ON) x QG)
Erhöhte Effizienz, niedrigere Verlustleistung
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
Spulentreiber – ABS, Kraftstoffeinspritzung
Motorsteuerung – EPS, Tücher, Lüfter, Sitze usw.
Lastschalter – ECU, Chassis, Gehäuse
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