onsemi Doppelt NVMFD5C466NL N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 52 A 40 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3314
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- NVMFD5C466NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Serie | NVMFD5C466NL | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 40 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 52 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 40 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 900 mV | |
| Höhe | 1.05 mm | |
| Länge | 6.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 7.4 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 16 nC | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Serie NVMFD5C466NL | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 40 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 52 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 40 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Durchlassspannung (Vf) 900 mV | ||
Höhe 1.05 mm | ||
Länge 6.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 7.4 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 16 nC | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low rDS(on)
Minimize Conduction Loss
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFD5C446NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Applications
Solenoid driver
Low side / high side driver
Automotive engine controllers
Antilock braking systems
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