onsemi Doppelt NVMFD5C466NL N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 52 A 40 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 172-3314
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 172-3314
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD5C466NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NVMFD5C466NL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NVMFD5C466NL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen PPAP capable, AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme
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