onsemi NVTFS6H850N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 68 A 107 W, 8-Pin WDFN

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172-3379
Herst. Teile-Nr.:
NVTFS6H850NTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

NVTFS6H850N

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

3.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

3.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.

Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)Kompaktes DesignNiedriger RDS(on)Minimiert LeitungsverlusteNiedrige QG und KapazitätMinimiert TreiberverlusteNVMFD5C446NLWF – Option mit benetzbaren FlankenVerbesserte optische PrüfungPPAP-fähigAnwendungsbereichSpulentreiberTreiber für Niederspannungsseite/HochspannungsseiteAutomobil-MotorsteuergeräteAntiblockiersysteme

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