IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 192 A 1.5 kW, 4-Pin IXFN210N30P3 SOT-227

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*

CHF.374.12

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 240 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
10 +CHF.37.412CHF.374.14

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
177-5342
Herst. Teile-Nr.:
IXFN210N30P3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

192A

Drain-Source-Spannung Vds max.

300V

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

268nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5kW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.6mm

Breite

25.07 mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links