IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 66 A 960 W, 4-Pin IXFN80N60P3 SOT-227

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RS Best.-Nr.:
168-4759
Herst. Teile-Nr.:
IXFN80N60P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

66A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

SOT-227

Montageart

Panel

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

190nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

960W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

25.07 mm

Länge

38.23mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

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