Vishay IRFR320 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 177-7558
Herst. Teile-Nr.:: IRFR320TRPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFR320 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 177-7558
Herst. Teile-Nr.:: IRFR320TRPBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Serie	IRFR320
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.8Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	20nC
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	42W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.22mm
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	2.38mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Serie IRFR320
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 42W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.22mm
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 2.38mm
	Automobilstandard Nein

IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320, Power MOSFET

Leistungs-MOSFET der Serie IRFR320 von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 3,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR320TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Baugruppen geeignet ist, und unterstützt anspruchsvolle elektrische Umgebungen, in denen eine kontrollierte Hochspannungsschaltung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 400 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • Die kontinuierliche Ablasskapazität von 3,1 A unterstützt moderate Stromlasten • Niedrige Rds(on) von 1,8 Ω minimiert Leitungsverluste unter Nennbedingungen • Die typische Gate-Ladung von 20 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltdynamik • Maximale Verlustleistung von 42 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet eine breite Temperaturbeständigkeit

Anwendungen

• Geeignet für Flyback- und Forward-Wandler in Stromversorgungen • Ideal für industrielle Motorsteuerungsstufen mit Hochspannungsschienen • Wird für Hochspannungsbeleuchtung und Vorschaltgeräte-Schaltkreise verwendet • Kann für Schutzschaltungen verwendet werden, die eine robuste Sperrspannung erfordern

Welche Gehäusetyp sollte ich für die Oberflächenmontage erwarten?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Lötmontage an einer Leiterplatte und einer thermischen Ebene konfiguriert ist.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte muss ich bei der Entwicklung beachten?

Gate-Exkursionen müssen innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle bleiben, um die Gate-Source-Bewertung nicht zu überschreiten.

Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Platine behandelt werden?

Verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche und thermische Leitungen unter der TO-252-Masse, um die angegebene Leistung von bis zu 42 W abzuleiten, wobei Sie die Verringerung für Umgebungstemperatur und Luftstrom berücksichtigen.

Welche Umgebungs- und Genehmigungsaspekte gelten für die Beschaffung?

Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen für bleifreie Systemintegration.