Vishay IRFR320 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.1 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 812-0626
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR320TRPBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | IRFR320 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie IRFR320 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFR320 von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 3,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR320TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Transistor, der für oberflächenmontierte Baugruppen geeignet ist, und unterstützt anspruchsvolle elektrische Umgebungen, in denen eine kontrollierte Hochspannungsschaltung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 400 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • Die kontinuierliche Ablasskapazität von 3,1 A unterstützt moderate Stromlasten • Niedrige Rds(on) von 1,8 Ω minimiert Leitungsverluste unter Nennbedingungen • Die typische Gate-Ladung von 20 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltdynamik • Maximale Verlustleistung von 42 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C gewährleistet eine breite Temperaturbeständigkeit
Anwendungen
• Geeignet für Flyback- und Forward-Wandler in Stromversorgungen • Ideal für industrielle Motorsteuerungsstufen mit Hochspannungsschienen • Wird für Hochspannungsbeleuchtung und Vorschaltgeräte-Schaltkreise verwendet • Kann für Schutzschaltungen verwendet werden, die eine robuste Sperrspannung erfordern
Welche Gehäusetyp sollte ich für die Oberflächenmontage erwarten?
Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Lötmontage an einer Leiterplatte und einer thermischen Ebene konfiguriert ist.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte muss ich bei der Entwicklung beachten?
Gate-Exkursionen müssen innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle bleiben, um die Gate-Source-Bewertung nicht zu überschreiten.
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Platine behandelt werden?
Verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche und thermische Leitungen unter der TO-252-Masse, um die angegebene Leistung von bis zu 42 W abzuleiten, wobei Sie die Verringerung für Umgebungstemperatur und Luftstrom berücksichtigen.
Welche Umgebungs- und Genehmigungsaspekte gelten für die Beschaffung?
Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen für bleifreie Systemintegration.
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