onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 74 A 3.1 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2671
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
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- 195-2671
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 74A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 74A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 3-x-3-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Prüfung. MOSFET- und PPAP-fähig, geeignet für die Automobilindustrie.
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm)
Kompaktes Design
Niedriger RDS (EIN)
Minimiert Leitungsverluste
Niedrige QG und Kapazität
Minimiert Treiberverluste
NVMFS5C410NLWF – Option mit benetzbaren Flanken
Verbesserte optische Prüfung
PPAP-fähig
Anwendung
Batterieverpolungsschutz
Schaltnetzteile
Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.)
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