onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 80 V Erweiterung / 25 A 3.2 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 195-2561
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD6H852NLT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 30 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.0.777 | CHF.23.41 |
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- RS Best.-Nr.:
- 195-2561
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFD6H852NLT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.2W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.2W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Höhe 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1 mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
NVMFD6H852NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion
PPAP-fähig
Diese Geräte sind bleifrei
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