Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin VP2450N8-G SOT-89

RS Best.-Nr.:: 177-9737
Herst. Teile-Nr.:: VP2450N8-G
Marke:: Microchip

Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin VP2450N8-G SOT-89

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 177-9737
Herst. Teile-Nr.:: VP2450N8-G
Marke:: Microchip

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	160mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	SOT-89
	Serie	VP2450
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	35Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	-1.8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.6W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	4.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.6 mm
	Höhe	1.6mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße SOT-89
	Serie VP2450
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 35Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf -1.8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.6W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 4.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.6 mm
	Höhe 1.6mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: TW

Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedrige Anforderung an die Stromversorgung

Einfacher Parallelbetrieb

Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

Integrierte Source-Drain-Diode

Microchip VP2450 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 160 mA 1.6 W, 3-Pin VP2450N8-G SOT-89

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