Vishay IRFI730G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-0848
Herst. Teile-Nr.:: IRFI730GPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFI730G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: IRFI730GPBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Serie	IRFI730G
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	38nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	35W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	9.8mm
	Länge	10.3mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	4.8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Serie IRFI730G
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 35W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 9.8mm
	Länge 10.3mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 4.8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Leistungs-MOSFET der Serie IRFI730G von Vishay, 400 V Drain-Quellenspannung, 3,7 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFI730GPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungsschaltgerät, das zur Steuerung des Stroms in Leistungsumwandlungs- und Schaltkreisen verwendet wird. Es handelt sich um einen N-Kanal-Transistor mit Enhancement-Modus, der für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen entwickelt wurde und für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Drain-Source-Spannungstoleranz und Standard-Gate-Treiber-Anordnungen mit Einzelversorgung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 400 V unterstützt Hochspannungsschaltung • 3,7 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine moderate Lasthandhabung • Maximale Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung • 1 Ω maximaler Rds(on) unterstützt vorhersehbare Leitungsverluste • 38 nC typische Gate-Ladung für zuverlässige Schaltleistung • Die Gate-Source-Nennleistung von 20 V sorgt für eine breite Antriebstoleranz

Anwendungen

• Geeignet für Schaltnetzteile in Industrieanlagen • Ideal für Gate-Stufen mit Motorantrieb in Automatisierungssystemen • Wird für den Austausch von Hochspannungsrelais in Schalttafeln verwendet • Kann für leitungsseitige Snubber- oder Klemmschaltungen verwendet werden • Geeignet für Tischnetzteile und Laborstrommodule

Welche Befestigungsaspekte beeinflussen das Wärmemanagement?

Das durchkontaktierte TO-220-Format ermöglicht die direkte Befestigung des Kühlkörpers an der Verpackungslasche für eine verbesserte Wärmeübertragung und eine reduzierte Anschlusstemperatur.

Wie verhält sich das Gerät bei extremen Umgebungstemperaturen?

Der Transistor arbeitet zwischen -55 °C und 150 °C, was den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen ermöglicht und gleichzeitig die elektrischen Eigenschaften beibehält.

Wie hoch ist die typische Auswirkung der Schaltladung auf Antriebsstromkreise?

Die Gate-Ladung von 38 nC definiert die vom Treiber benötigte Energie und beeinflusst die Schaltgeschwindigkeit und die Stromanforderungen des Treibers während der Übergänge.

Gibt es Beschränkungen für den Gate-Antrieb, um Schäden zu verhindern?

Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, die nicht überschritten werden darf, um Gate-Oxid-Spannungen und potenzielle Geräteausfälle zu vermeiden.