Vishay IRFI730G N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0848
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI730GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 65.65
Auf Lager
- 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF 1.313 | CHF 65.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0848
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFI730GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRFI730G | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 9.8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.8mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRFI730G | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 9.8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.8mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFI730G von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 3,7 A – IRFI730GPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in Leistungsumwandlungs- und Steuerkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet im Enhancement-Modus und eignet sich, wenn ein kompaktes TO-220-Gehäuse und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät ist für den Betrieb in einem breiten Umgebungstemperaturbereich ausgelegt und erfüllt die RoHS-Umgebungsbeschränkungen.
Merkmale und Vorteile:
• 400 V Drain-to-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 3.7 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Rds(on) von 1 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• 38 nC-typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 3.7 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Maximale Rds(on) von 1 Ω reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 35 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Leistung
• 38 nC-typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbares Schaltverhalten
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungen
• Wird zum Schalten in industriellen Stromversorgungen verwendet
• Geeignet für die Motorsteuerung in Antrieben mit geringem Stromverbrauch
• Ideal für Hochspannungs-LED-Treiberstufen
• Kann für die Front-End-Schaltung von Wechselrichtern verwendet werden
• Wird mit diskreten Leistungssteuerungsmodulen verwendet
• Geeignet für die Motorsteuerung in Antrieben mit geringem Stromverbrauch
• Ideal für Hochspannungs-LED-Treiberstufen
• Kann für die Front-End-Schaltung von Wechselrichtern verwendet werden
• Wird mit diskreten Leistungssteuerungsmodulen verwendet
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert und ist für die Durchsteckmontage vorgesehen, was die Kühlung auf Standardplatten erleichtert.
Welcher thermische Bereich kann während des Betriebs erwartet werden?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich somit für anspruchsvolle thermische Umgebungen.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die absolute Gate-to-Source-Bewertung beträgt ±20 V, sodass die Antriebsschaltkreise innerhalb dieser Grenze bleiben sollten, um Schäden zu vermeiden.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als Kfz-Standardteil spezifiziert
Bei der Auswahl sollten die Qualifikationsanforderungen für die Automobilindustrie separat berücksichtigt werden.
Verwandte Links
- Vishay IRFI730G Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 850 V / 9 A 35 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 15 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 3.7 W, 3-Pin TO-220
- ROHM SCT2H12NZ Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 3.7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM
- STMicroelectronics STP N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 176 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STP25 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-220