Vishay IRF820 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
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| 50 - 50 | CHF.0.798 | CHF.40.05 |
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF820 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF820 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF820 von Vishay, 500 V Drain-Quellenspannung, 2,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IRF820PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Es eignet sich für Anwendungen, die hohe Drain-Source-Spannungen und moderaten Dauerstrom erfordern, arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist in einem Standard-Durchgangsbohrungsgehäuse für eine einfache Leiterplattenmontage montiert.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 2,5 A Dauerstrom unterstützt mäßige Lastverarbeitung
• 50 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Leistung
• Der Einschaltwiderstand von 3 Ω reduziert leitungsbedingte Verluste
• Typische Gate-Ladung von 24 nC sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die Vgs-Toleranz von ±20 V schützt das Gate vor Überspannungsereignissen
• 2,5 A Dauerstrom unterstützt mäßige Lastverarbeitung
• 50 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Leistung
• Der Einschaltwiderstand von 3 Ω reduziert leitungsbedingte Verluste
• Typische Gate-Ladung von 24 nC sorgt für vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Die Vgs-Toleranz von ±20 V schützt das Gate vor Überspannungsereignissen
Anwendungen
• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in industriellen Versorgungsunternehmen
• Ideal für lineare Verstärkerstufen, die Hochspannungstransistoren erfordern
• Verwendet für Motorantriebs-Schnittstellenschaltkreise mit moderaten Strömen
• Kann für Hochspannungsprüfgeräte und Labornetzgeräte verwendet werden
• Geeignet für die Nachrüstung von Durchsteckkonstruktionen in Schalttafeln
• Ideal für lineare Verstärkerstufen, die Hochspannungstransistoren erfordern
• Verwendet für Motorantriebs-Schnittstellenschaltkreise mit moderaten Strömen
• Kann für Hochspannungsprüfgeräte und Labornetzgeräte verwendet werden
• Geeignet für die Nachrüstung von Durchsteckkonstruktionen in Schalttafeln
Welche Befestigungsmethode erfordert dieses Gerät?
Es wird für die Durchsteckmontage in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, was herkömmliche Löt- und Kühlkörperoptionen ermöglicht.
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Es kann zwischen -55 °C und 150 °C betrieben werden und ermöglicht den Einsatz in rauen Umgebungsbedingungen und Szenarien mit erhöhten Anschlüssen.
Wie wirkt sich der Gate-Antrieb auf das Schaltverhalten aus?
Die typische Gate-Ladung von 24 nC bei Nenn-Gate-Spannung bestimmt den erforderlichen Treiberstrom und die Schaltgeschwindigkeit.
Was ist für das Verlustleistungsmanagement zu beachten?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 50 W sind externe Kühlkörper und Montageausrichtung erforderlich, um sichere Anschlusstemperaturen bei höheren Lasten aufrechtzuerhalten.
Gibt es spezifische elektrische Grenzwerte, die am Gate zu beachten sind?
Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids und eine Beeinträchtigung der Geräteintegrität zu vermeiden.
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