Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
178-0851
Herst. Teile-Nr.:
IRF820PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IRF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Länge

10.41mm

Höhe

9.01mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt

Dynamische dV-/dt-Bewertung

Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

Einfache Laufwerkanforderungen

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