Vishay IRF820 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 39.90
- Zusätzlich 400 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.798 | CHF 40.05 |
| 100 - 200 | CHF 0.677 | CHF 33.99 |
| 250 + | CHF 0.606 | CHF 30.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRF820 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.41mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRF820 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.41mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF820 von Vishay, 500 V Drain-Source-Spannung, 50 W Verlustleistung – IRF820PBF
Merkmale und Vorteile:
• 50 W Verlustleistung unterstützt eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 2,5 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine moderate Lastleitung
• 3 Ω maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei leichten Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht eine angemessene Steuerung der Schaltgeschwindigkeit
• Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C eignet sich für breite thermische Umgebungen
Anwendungen
• Ideal für Hochspannungs-Lampen- und Heizungsregler
• Wird mit diskreten Motorantriebs-Frontenden für Schwachstrommotoren verwendet
• Kann für Hobby-Hochspannungsnetzteile verwendet werden
• Wird für Laborprüfgeräte verwendet, die robuste Durchsteckbohrungsteile erfordern
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden, um Schäden zu vermeiden?
Wie wirkt sich die Spezifikation der Durchlassspannung auf die Verwendung in Schaltkreisen aus?
Ist diese Komponente für extreme Temperaturen im Automobilbereich geeignet?
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