Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.39.90
Auf Lager
- Zusätzlich 600 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.798 | CHF.40.05 |
| 100 - 200 | CHF.0.677 | CHF.33.99 |
| 250 + | CHF.0.606 | CHF.30.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0851
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF820PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IRF | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IRF | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Einfache Laufwerkanforderungen
Verwandte Links
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 2.5 A 50 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 28 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 5.6 A 43 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 2 A 36 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 3.3 A 36 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 6.8 A 60 W, 3-Pin TO-220