Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 200 W, 3-Pin IRF1010EPBF TO-220

RS Best.-Nr.:: 178-1449
Herst. Teile-Nr.:: IRF1010EPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 84 A 200 W, 3-Pin IRF1010EPBF TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 178-1449
Herst. Teile-Nr.:: IRF1010EPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	84A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	130nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.54mm
	Breite	4.69 mm
	Höhe	8.77mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 84A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.54mm
	Breite 4.69 mm
	Höhe 8.77mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 84A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRF1010EPBF

Dieser MOSFET ist für hohe Leistungen in verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Der niedrige Durchlasswiderstand und die Fähigkeit, hohe kontinuierliche Drain-Ströme zu liefern, machen ihn zu einem wichtigen Bauteil für Ingenieure in Automatisierungs- und Energiemanagementsystemen. Das Gerät eignet sich für den Einsatz in rauen Umgebungen und gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb über einen breiten Temperaturbereich.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) trägt zu minimalem Leistungsverlust bei hohen Strömen bei

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 84 A verbessert die Effizienz

• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine einfache Montage

• Schnelle Schaltfunktionen verbessern die Gesamtleistung der Schaltung

• Vollständig lawinengeprüft für zusätzlichen Geräteschutz

Anwendungsbereich

• Stromversorgungsschaltungen für eine effiziente Spannungsregelung

• Motorsteuerungssysteme für präzisen Betrieb

• Treiberschaltungen im Hochstrombereich

• Signalverstärkung in elektronischen Geräten

Wie hoch ist der Wärmewiderstand für dieses Produkt?

Der Wärmewiderstand zwischen Anschluss und Gehäuse beträgt 0,75°C/W, und der Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Senke auf einer flachen, gefetteten Oberfläche beträgt 0,50°C/W, was eine effiziente Wärmeabfuhr ermöglicht.

Kann es in Umgebungen mit hohen Temperaturen sicher arbeiten?

Ja, es funktioniert effektiv bei Temperaturen bis zu 175 °C und eignet sich daher für Anwendungen, bei denen Hitze ein Problem darstellt.

Welche Art von Strom kann er bei hohen Temperaturen verarbeiten?

Bei einer Gehäusetemperatur von 100 °C kann er einen kontinuierlichen Drain-Strom von 59 A bewältigen, was einen zuverlässigen Betrieb unter Last gewährleistet.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf seine Leistung aus?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 130 nC bei 10 V ermöglicht er schnelles Schalten und effizienten Betrieb in dynamischen Anwendungen.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.