Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L
- RS Best.-Nr.:
- 178-3667
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3667
- Herst. Teile-Nr.:
- SiA106DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-70-6L | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0185Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.2mm | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-70-6L | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0185Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.2mm | ||
Breite 1.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss
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