Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 16 A 45 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
178-3719
Herst. Teile-Nr.:
SQJ481EP-T1_GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

90mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.07mm

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der Vishay N-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 80 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 45 W und einen Dauerstrom von 16 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V und 10 V. Er wird in Kfz-Anwendungen eingesetzt. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 175 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft

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