Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.17 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 178-5070
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1000 Stück, auf einer Rolle mit 1000)*
CHF 212.00
- 9'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF 0.212 | CHF 214.12 |
| 2000 - 2000 | CHF 0.202 | CHF 204.02 |
| 3000 + | CHF 0.192 | CHF 190.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-5070
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP315PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.97V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.97V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,8 W maximale Verlustleistung - BSP315PH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 1,17 A für die Stromversorgung mit kleinen Signalen
• 800 mΩ maximaler RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 5,2 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• 1,8 W Verlustleistung für dauerhaften Betrieb mit geringem Stromverbrauch
• AEC-Q101-Qualifizierung für Belastungstoleranz in Automobilqualität
Anwendungsbereich
• Ideal für den Verpolungsschutz in der Automobilelektronik
• Wird mit stromsparenden DC/DC-Wandlern für High-Side-Schaltvorgänge verwendet
• Kann zur Lasttrennung in Telematikmodulen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Leistungssteuerungsplatinen, die eine Oberflächenmontage erfordern
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Wie viele Stifte sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?
Welche maximale Gate-Spannung sollte während des Gebrauchs eingehalten werden?
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