Vishay Einfach E Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 26 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-7350
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.576 | CHF.78.53 |
| 100 - 200 | CHF.1.475 | CHF.73.83 |
| 250 - 450 | CHF.1.333 | CHF.66.76 |
| 500 - 1200 | CHF.1.252 | CHF.62.82 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7350
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHP25N50E-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.145Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 6.71mm | |
| Länge | 14.4mm | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.145Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 6.71mm | ||
Länge 14.4mm | ||
Breite 10.52 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der durchkontaktierte N-Kanal-TO-220AB-3 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 145 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 250 W und einen Dauerstrom von 26 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Geringe Leistungszahl (FOM): Ron x Qg.
• Niedrige Gate-Ladung (Qg)
• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Anwendungen
• Hartschaltete Topologien
• PC-Silberbox/ATX-Netzteile
• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• Zweistufige LED-Beleuchtung
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-geprüft
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