Vishay Einfach E Typ N-Kanal 1 Leistungs-MOSFET 500 V / 26 A 250 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB SIHP25N50E-GE3

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Herst. Teile-Nr.:
SIHP25N50E-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

E

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.145Ω

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

86nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Höhe

6.71mm

Länge

14.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

10.52 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der durchkontaktierte N-Kanal-TO-220AB-3 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 500 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 30 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 145 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 250 W und einen Dauerstrom von 26 A. Er hat eine Antriebsspannung von 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Geringe Leistungszahl (FOM): Ron x Qg.

• Niedrige Gate-Ladung (Qg)

• Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Anwendungen


• Hartschaltete Topologien

• PC-Silberbox/ATX-Netzteile

• Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

• Schaltnetzteile (SMPS)

• Zweistufige LED-Beleuchtung

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS-geprüft

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