Vishay Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 180-7911
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.354 | CHF.7.09 |
| 200 - 480 | CHF.0.343 | CHF.6.95 |
| 500 - 980 | CHF.0.263 | CHF.5.33 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.212 | CHF.4.18 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-7911
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.2nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.05mm | |
| Breite | 1.65 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.2nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.05mm | ||
Breite 1.65 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• DC/DC converters
• Drivers: motor, solenoid, relay
• Load switch for portable devices
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
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