Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W
- RS Best.-Nr.:
- 180-8348
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*
CHF.52.80
Auf Lager
- Zusätzlich 1’275 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 + | CHF.0.704 | CHF.52.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8348
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Länge | 9.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Länge 9.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 400 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 7 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 50 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Advanced Prozesstechnologie
• Schnelles Schalten
• Vollständig lawinengeprüft
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Materialkategorisierung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
Verwandte Links
- Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W
- Vishay IRFU Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A 50 W, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 1.8 A 50 W, 3-Pin IRFU9310PBF IPAK
- Vishay Einfach Typ P-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET 100 V, 3-Pin
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A 20 W, 3-Pin TO-263
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A 20 W, 3-Pin IRF9610SPBF TO-263
- Vishay Einfach Typ P-Kanal, Durchsteckmontage, Oberfläche MOSFET 100 V, 3-Pin IRFU9120PBF
- Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 400 V / 10 A 125 W