Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 180-8348
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9310PBF
Marke:: Vishay

Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:: IRFR9310PBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	400V
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche, Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Normen/Zulassungen	RoHS-compliant
	Länge	9.65mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 400V
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Normen/Zulassungen RoHS-compliant
	Länge 9.65mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 1,8 A – IRFR9310PBF

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochspannungs-Schalt- und Steuerungsaufgaben in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er ist für die Oberflächen- oder Durchsteckmontage vorgesehen und bietet eine Ein-Element-Transistorkonfiguration, die für diskrete Leistungsstufen geeignet ist. Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für mäßigen Gleichstrom ausgelegt, womit es dort einsetzbar ist, wo eine kompakte Hochspannungsschaltung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• 400-V-Drain-to-Source-Fähigkeit ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 7 Ω Einschaltwiderstand für vorhersehbare Leitungsverluste
• 1,8 A Dauerstrom für moderate Lastströme
• 50 W Verlustleistung für erhebliche thermische Handhabung
• 13 nC typische Gate-Ladung für handliche Schaltsteuerung
• Maximaler Gate-Treiber von 20 V ermöglicht flexibles Gate-Treiber-Design

Anwendungen

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsschaltung in der industriellen Automatisierung
• Ideal für P-Kanal-Lastumschaltung in Stromversorgungstopologien
• Wird für diskrete Transistorstufen in der Motorsteuerungselektronik verwendet
• Kann zum Schutz und zur Isolierung von Stromkreisen in elektrischen Systemen verwendet werden

Welche Gehäuseausführungen sind für die Leiterplattenmontage oder das Prototyping erhältlich?

Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und unterstützt sowohl die Oberflächenmontage als auch die Durchsteckmontage, um unterschiedlichen Platinenlayouts und Prototyping-Anforderungen gerecht zu werden.

Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Installationsentscheidungen aus?

Mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C und einer Verlustleistung von 50 W sollte ein angemessenes Wärmemanagement wie Kühlkörper oder Kupferbereich vorgesehen werden, um sichere Betriebstemperaturen bei Dauerbelastungen aufrechtzuerhalten.

Welche Gate-Drive-Grenzwerte müssen bei der Entwicklung von Steuerkreisen beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, daher sollten Gate-Treiber und Pegelverschiebungsstromkreise spezifiziert werden, um innerhalb dieses Schwellenwerts zu bleiben.

Gibt es Umwelt- oder gesetzliche Überlegungen für den Einsatz in Baugruppen?

Die Komponente ist RoHS-konform, sodass sie in Baugruppen verwendet werden kann, in denen Richtlinien für eingeschränkte Stoffe gelten.