Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W
- RS Best.-Nr.:
- 180-8772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
- Marke:
- Vishay
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| 10 - 90 | CHF.1.124 | CHF.11.28 |
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| 250 - 490 | CHF.1.019 | CHF.10.14 |
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| 1000 + | CHF.0.851 | CHF.8.48 |
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- RS Best.-Nr.:
- 180-8772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein P-Kanal und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 400 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 7 Ohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 50 W. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• Advanced Prozesstechnologie
• Schnelles Schalten
• Vollständig lawinengeprüft
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Materialkategorisierung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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