Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche, Durchsteckmontage MOSFET 400 V / 1.8 A 50 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 180-8772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
- Marke:
- Vishay
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- 180-8772
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9310PBF
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS-compliant | |
| Länge | 9.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS-compliant | ||
Länge 9.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET von Vishay, 400 V Drain-Source-Spannung, 50 W Verlustleistung – IRFR9310PBF
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Transistor, der für Hochspannungsschaltungen in Leistungselektronikschaltkreisen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert und eignet sich für die Oberflächenmontage oder Durchsteckmontage. Er bietet eine kompakte Lösung, wenn ein P-Typ-Gerät für Hochspannungsanwendungen erforderlich ist. Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und erfüllt die RoHS-Umweltstandards.
Merkmale und Vorteile:
• 400 V Drain-Source-Spannung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• Maximale Rds von 7 Ω zur Begrenzung der Leitungsverluste in Schwachstromkonstruktionen
• 13 nC typische Gate-Ladung für schnelle Gate-Drive-Übergänge
• 1,8 A kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 50 W für den thermischen Kopfraum in Leistungsstufen
• Betriebsbereich von -55 bis 150 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Maximale Rds von 7 Ω zur Begrenzung der Leitungsverluste in Schwachstromkonstruktionen
• 13 nC typische Gate-Ladung für schnelle Gate-Drive-Übergänge
• 1,8 A kontinuierlicher Ablassstrom für moderate Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 50 W für den thermischen Kopfraum in Leistungsstufen
• Betriebsbereich von -55 bis 150 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungs-Polaritätsschutzschaltungen
• Ideal für P-Kanal-High-Side-Schaltung in Netzteilen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die Geräte mit geringer Gate-Ladung erfordern
• Kann für industrielle Steuerungselektronik im laufenden Betrieb verwendet werden
• Geeignet für gemischte Montageplatinen, die Oberflächenmontage- und Durchsteckmontagekomponenten kombinieren
• Ideal für P-Kanal-High-Side-Schaltung in Netzteilen
• Wird mit Gate-Treibern verwendet, die Geräte mit geringer Gate-Ladung erfordern
• Kann für industrielle Steuerungselektronik im laufenden Betrieb verwendet werden
• Geeignet für gemischte Montageplatinen, die Oberflächenmontage- und Durchsteckmontagekomponenten kombinieren
Welche Befestigungsoptionen sind für die Montage auf Leiterplatten verfügbar?
Das Gerät unterstützt sowohl die Oberflächenmontage als auch die Durchsteckmontage, um unterschiedliche Leiterplattenmontagepraktiken zu erfüllen.
Wie verhält sich das Gerät bei hohen Umgebungstemperaturen?
Er ist für den Betrieb bei bis zu 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Designs, die hohen thermischen Belastungen ausgesetzt sind, wenn ein geeignetes Wärmemanagement angewendet wird.
Welche Grenzwerte für die Gate-Drive-Spannung sind bei der Konstruktion zu berücksichtigen?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V, sodass Gate-Drive-Schaltkreise Schwankungen innerhalb dieses Bereichs einschränken müssen.
Besteht dieses Gerät aus mehreren Elementen auf einem einzigen Chip?
Es gibt ein einziges Transistorelement pro Chip, was die Stromverteilung in parallelen Anordnungen vereinfacht.
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