Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 180-8368
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ44SPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.754 | CHF.87.57 |
| 100 - 200 | CHF.1.502 | CHF.75.29 |
| 250 + | CHF.1.292 | CHF.64.79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8368
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLZ44SPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRLZ44S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 60 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 10 V. Es verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263). Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,028 Ohm bei 5 VGS.
Oberflächenmontage
Erhältlich auf Band und Rolle
Dynamische dV-/dt-Bewertung
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