Vishay Einfach Typ N-Kanal Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 180-8799
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL620PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.535 | CHF.12.67 |
| 50 - 120 | CHF.2.283 | CHF.11.41 |
| 125 - 245 | CHF.2.161 | CHF.10.81 |
| 250 - 495 | CHF.2.02 | CHF.10.10 |
| 500 + | CHF.1.909 | CHF.9.52 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 180-8799
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL620PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 6.48mm | |
| Breite | 10.52 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC | |
| Länge | 14.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 6.48mm | ||
Breite 10.52 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC | ||
Länge 14.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Vishay IRL620 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 10 V. Er hat ein TO-220AB-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,8 Ohm bei 5 VGS.
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Logikebenen-Gate-Ansteuerung
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