Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche Leistungs-MOSFET 200 V / 5.2 A 50 W TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.10.66

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 715 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.2.132CHF.10.65
50 - 120CHF.1.932CHF.9.68
125 - 245CHF.1.806CHF.9.05
250 - 495CHF.1.701CHF.8.52
500 +CHF.1.596CHF.7.99

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-8843
Distrelec-Artikelnummer:
304-30-843
Herst. Teile-Nr.:
IRF620SPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.8Ω

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRF620S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 200 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es verfügt über ein D2PAK-Gehäuse (TO-263). Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,8 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom 5,2 A.

Oberflächenmontage

Erhältlich auf Band und Rolle

Dynamische dv/dt-Bewertung

Verwandte Links