DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin DMN2450UFB4-7R X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 182-7146
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2450UFB4-7R
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 250 - 250 | CHF.0.084 | CHF.21.26 |
| 500 - 750 | CHF.0.074 | CHF.18.38 |
| 1000 - 1250 | CHF.0.063 | CHF.16.01 |
| 1500 - 1750 | CHF.0.053 | CHF.14.18 |
| 2000 + | CHF.0.053 | CHF.12.86 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7146
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2450UFB4-7R
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 900mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 0.65 mm | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Länge | 1.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 900mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 0.65 mm | ||
Höhe 0.35mm | ||
Länge 1.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Abmessung von lediglich 0,6 mm²
- Dreizehn Mal kleiner als SOT23
Profil von 0,4mm – Ideal für Anwendungen mit niedriger Bauhöhe
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
ESD-geschütztes Gate
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Lastschalter
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