onsemi FCMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 24 A 181 W, 4-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
185-7980
Herst. Teile-Nr.:
FCMT125N65S3
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

FCMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

181W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8mm

Breite

8 mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Nicht-konform

Ursprungsland:
PH
700 V bei TJ = 150 °C

Extrem dünnes SMD-Gehäuse ohne Kabel

Kelvin-Kontakt

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 49 nC)

Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 406 pF)

Optimierte Kapazität

Typ. RDS(on) = 100 mΩ

Interner Gate-Widerstand: 0,5 Ω

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Hohe Leistungsdichte

Geringes Gate-Rauschen und Schaltverluste

Geringe Schaltverluste

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Anwendungen

Telekommunikation

Cloud-System

Industriell

Endprodukte

Stromversorgung Telekommunikation

Stromversorgung Server

LED-Beleuchtung

Adapter

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