onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 240 W, 3-Pin NTP110N65S3HF TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 186-1355
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP110N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 186-1355
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP110N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7 mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Nicht-konform
SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Gehäusediode des SuperFET III FRFET MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.
700 V bei TJ = 150 °C
Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 62 nC)
Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. COSS(eff.) = 522 pF)
Optimierte Kapazität
Ausgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur
Geringere Schaltverluste
Geringere Schaltverluste
Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in Brückenschaltung
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Anwendungen
Telekommunikation
Cloud-System
Industriell
Endprodukte
Stromversorgung Telekommunikation
Stromversorgung Server
EV-Ladegerät
Solar/UPS