Vishay SiRA99DP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-4884
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 188-4884
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA99DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiRA99DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 172.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Länge | 5.99mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiRA99DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 172.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Länge 5.99mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV p-Kanal-Leistungs-MOSFET
Sehr niedriger RDS(on) minimiert den Spannungsabfall und reduziert den Leitungsverlust
Keine Ladungspumpe erforderlich
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