Vishay SiSHA12ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 188-4936
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.16.025
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.641 | CHF.15.94 |
| 125 - 225 | CHF.0.609 | CHF.15.14 |
| 250 - 600 | CHF.0.546 | CHF.13.55 |
| 625 - 1225 | CHF.0.389 | CHF.9.71 |
| 1250 + | CHF.0.305 | CHF.7.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-4936
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSHA12ADN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSHA12ADN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3 mm | ||
Höhe 0.93mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Verwandte Links
- Vishay SiSHA12ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7415DN-T1-GE3
- Vishay SiS126DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 45.1 A 52 W, 8-Pin SIS126DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS92DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 12.3 A 65.8 W, 8-Pin SiSS92DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiS128LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 33.7 A 39 W, 8-Pin SiS128LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 181.8 A 65.8 W, 8-Pin SISS60DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiS862ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 52 A 39 W, 8-Pin SIS862ADN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA14DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 26.5 W, 8-Pin SiSHA14DN-T1-GE3 PowerPAK 1212