STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 188-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.18.102
Auf Lager
- 770 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.9.051 | CHF.18.09 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8512
- Herst. Teile-Nr.:
- STB43N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 630mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Höhe | 4.37mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 630mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 9.35 mm | ||
Höhe 4.37mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh TM M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen PowerMESH-Layout. Das resultierende Produkt bietet einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistung und einen überlegenen Wirkungsgrad erfordern.
Extrem niedriger RDS(on)
Niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Ausgezeichnetes Schaltvermögen
Anwendungen
Schaltanwendungen
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 70 W, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 7-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-263
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 70 A 263 W, 3-Pin TO-247-3L
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 110 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-263
- ROHM SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 70 A, 7-Pin TO-263