STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 192-4656
- Herst. Teile-Nr.:
- STL10N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 3000 + | CHF 0.869 | CHF 2'602.77 |
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- 192-4656
- Herst. Teile-Nr.:
- STL10N60M6
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 660mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 950μm | |
| Breite | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 660mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 950μm | ||
Breite 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh TM umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zenerdioden-geschützt
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