STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 192-4656
- Herst. Teile-Nr.:
- STL10N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 660mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 660mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die neue M6-Technologie von MDmesh TM umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh Familie von SJ MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei der Endanwendung.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Zenerdioden-geschützt
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