STMicroelectronics SCTW90 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 565 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 201-0887
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- 201-0887
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW90N65G2V
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 119A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW90 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 565W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 119A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW90 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 565W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 119 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
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