STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 20 A 150 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 201-4415
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT20N120H
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 203mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.4mm | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 203mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.4mm | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.
Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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