STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1.2 kV Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247

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Lagerbestand aktuell unbekannt
RS Best.-Nr.:
202-5475
Herst. Teile-Nr.:
SCT10N120
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.58Ω

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Durchlassspannung Vf

4.3V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Höhe

34.95mm

Breite

5.15mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Niedrige Kapazität

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