STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET-Module 1.2 kV Entleerung / 33 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 202-5484
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH40N120G2V7AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
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- SCTH40N120G2V7AG
- Marke:
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCT | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1.2 kV | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 33 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.105 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCT | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1.2 kV | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 33 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.105 Ω | ||
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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