STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5489
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2VAG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- SCTW40N120G2VAG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.105Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.105Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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