STMicroelectronics DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 250 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 204-3947
- Herst. Teile-Nr.:
- STW50N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.165.45
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 25. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.5.515 | CHF.165.35 |
| 120 - 240 | CHF.5.363 | CHF.160.86 |
| 270 - 480 | CHF.5.222 | CHF.156.65 |
| 510 - 990 | CHF.5.09 | CHF.152.62 |
| 1020 + | CHF.4.959 | CHF.148.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-3947
- Herst. Teile-Nr.:
- STW50N65DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | DM6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 91mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie DM6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 91mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 250 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 72 A 480 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 33 A 190 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 53 A 424 W, 8-Pin ACEPACK SMIT
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 565 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW35 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247