Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7216
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiJ128LDP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.3W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiJ128LDP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.3W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
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