Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
204-7216
Herst. Teile-Nr.:
SiJ128LDP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SiJ128LDP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

22.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.14 mm

Höhe

6.25mm

Länge

5.25mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

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