Vishay SiJ128LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 25.5 A 22.3 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7217
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 204-7217
- Herst. Teile-Nr.:
- SiJ128LDP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiJ128LDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22.3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.25mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiJ128LDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22.3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.25mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um Leistungsverluste zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern. Es hat einen sehr niedrigen Qg und Qoss, um die Verlustleistung zu reduzieren und die Effizienz zu verbessern.
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